Intel 儲存 3D NAND

Intel 透過記憶體和儲存創新加速以資料為中心的技術發展

2019-10-06
Intel在日前舉行的全球意見領袖聚會上,介紹了一系列最新科技里程碑,並強調在以資料為中心的運算時代中,將持續推動記憶體和儲存發展的投資與承諾。包括提供客戶獨特的Intel Optane技術和Intel 3D NAND解決方案,以便開發雲端、AI和網路邊緣裝置。

Intel資深副總裁暨非揮發性記憶體解決方案事業群總經理Rob Crooke表示,世界產生資料的速度越來越快,而企業對於如何有效地處理這些資料也顯得越來越無所適從。在眾多企業中,能勝出的主要區別就在於誰能夠從這些資料中獲取價值。這些任務將需要在記憶體和儲存層級結構進行先進創新,而這正是Intel目前所推動的工作。

機器所產生的大量資料通常需透過即時分析後,才能賦予資料價值。此項需求突顯了記憶體儲存層級結構所產生的缺口,即DRAM容量不足、SSD則不夠快。而這些缺口可透過Intel Optane DC持續性記憶體來填補,就連更大量的資料集(data set)也可透過儲存介面連接的Intel Optane 技術來填補缺口。

此外,硬碟速度越來越不能滿足以資料為中心的運算環境,因此Intel Optane技術與QLC NAND的組合可改善此狀況。整體而言,Intel Optane是材質、架構、與效能兼具的特殊組合,是現有的記憶體與儲存技術無法相比的。

Intel記憶體和儲存解決方案正在協助包括微軟在內的眾多客戶。目前微軟正在對其客戶端作業系統進行重大更新,以支援Intel Optane 持續性記憶體所提供像是快速啟動和遊戲讀取等眾多新功能與特色。

Intel Optane記憶體H10搭配固態硬碟儲存裝置,結合了Intel Optane 技術的反應能力,同時透過M.2外型規格提供Intel四階儲存單元(Quad Level Cell,QLC)3D NAND技術的儲存能力。

 


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