新型快閃兼具效能容量 重塑AI時代資料中心儲存

人工智慧(AI)已重新定義資料中心的設計版圖,同時也將資料處理與儲存的效能、複雜度與成本推向歷史新高。儘管GPU、CPU與AI加速器往往佔據新聞頭條,儲存領域也正經歷一場屬於自己的變革。不僅涵蓋該如何配置與最佳化,更延伸至其在資料中心機櫃中的部署位置。

NAND快閃記憶體(Flash)是這場討論的核心,因為它藉由建構高密度、非揮發性的資料路徑,協助支援AI模型訓練、資料管道處理與推論作業。eSSD(企業級SSD)尤其如此,這類以NAND為基礎的企業級固態儲存硬碟,能提供當今超大規模運算環境所需的資料密度、可靠性、傳輸量與耐寫度。

在此發展階段,資料中心的eSSD正演化出兩條截然不同的分支。第一條分支是運算最佳化型eSSD,緊鄰GPU運作,滿足高效能工作負載對大型資料集的高速、低延遲存取需求,同時也需處理呈指數成長的鍵值快取(KV Cache)容量,兼顧大量儲存與運算層級的效能表現。第二條分支則是容量最佳化型eSSD,專門支援為GPU大規模饋送資料的高密度資料湖,能在龐大資料儲存量與快閃記憶體的速度、可靠性之間取得最佳平衡。這兩種新興的NAND快閃記憶體儲存層級,正逐漸成為AI基礎設施不可或缺的根基。

全新的設計挑戰:AI時代的資料分層

傳統的資料中心設計採用較為單一的儲存架構,以NAND為基礎的eSSD同時支援延遲敏感型與通用型的儲存需求。然而,隨著當今AI資料管道的工作負載型態愈趨多樣,這種統一性已不再適用,因此對資料中心架構師而言,挑戰已從「如何部署資料」擴大為「如何為資料分層」。

這是因為AI工作負載橫跨多個階段,從資料擷取、前置處理,到模型訓練與推論,每個階段對效能與容量的要求皆不相同。以AI模型訓練為例,需要持續穩定的傳輸量以及對大型資料集的平行存取能力;而推論則會觸發較零散的存取模式,通常需要更小、更頻繁的讀取,並著重於資料上下文保留。這使得新的配置方式必須同時支援高效能儲存與大規模儲存,且往往需要在同一套部署架構中並存。

這場演變也體現在實體層面上,儲存不再侷限於單一位置。延遲敏感型資料最好貼近運算端存放,容量密集型資料則可分解(Disaggregated)並重新分割。在部分部署情境中,例如遠端網路儲存,資料甚至可以移出運算端所在的即時運算區域之外。

在這樣的情境下,資料中心工程師不僅是在建構系統,更是在定義並指派全新的資料儲存拓樸架構。他們必須決定哪些資料應貼近運算端存放、哪些資料應安置於其他位置,以及各儲存層級在實際工作負載下該如何協作。

鄰近運算的eSSD是饋送GPU的關鍵

鄰近運算的NAND快閃記憶體,一般稱為運算型(Compute)eSSD,運作位置緊鄰高價值的GPU與加速器,且擁有可透過繞過CPU與系統記憶體直接存取的技術。這類儲存裝置經過最佳化,具備低延遲、高讀寫速度(IOPS),能在高並行負載下維持穩定效能,可支援模型載入、檢查點儲存與推論快取等應用情境;在這些情境中,延遲會直接影響系統的整體傳輸量。

隨著存取模式逐漸轉向更小的資料單元與更頻繁的查詢,AI工作負載正進一步推升這些需求。運算型eSSD以同一套裝置架構同時滿足兩種截然不同的應用情境,應對市場對更細微、更即時儲存方案的需求。運算型eSSD最初主要用於處理AI模型訓練的資料管線與檢查點儲存功能。然而,隨著推論與代理式AI日益普及,加上模型與參數規模急遽膨脹,第二種應用情境隨之浮現,也就是鍵值快取卸載。如今,鍵值快取已成為NAND快閃記憶體在AI資料中心裡最大的成長機會之一。

這正是運算最佳化型NAND常被形容為「記憶體階層的延伸」的原因。它扮演著卸載鍵值快取大容量儲存池的角色,填補DRAM與傳統儲存之間的空位,讓AI基礎設施得以突破封裝內記憶體的實體限制,而得以擴展上下文視窗。

高容量NAND快閃記憶體:擴展資料湖

在光譜另一端,高容量NAND快閃記憶體支援了AI資料湖的快速成長。AI本身未必會創造出新的資料類型,但確實改變了資料的存取方式。AI訓練通常需要高速存取整個資料集,而非僅查詢資料的子集,這也促成了「高速」資料湖的興起。在這類環境中,傳輸量及可存取性與容量本身同等重要。

高容量eSSD針對儲存密度與效率進行最佳化,其價值的衡量較不取決於延遲指標,而更側重於每單位功耗能儲存與傳輸的資料量。這使得容量最佳化型eSSD特別適合成本、空間與能源預算都相對吃緊的大規模「冷」儲存環境。

然而,在某些情境下,資料存取頻率的提升正逐漸讓冷儲存「升溫」。此時,相較於結合快閃記憶體與硬碟的傳統分層儲存架構,採用全快閃儲存方案更能滿足資料存取需求。這類情境中,NAND密度的技術進展正在改變整體格局,讓以快閃記憶體為基礎的資料湖,能夠在大規模應用下兼顧容量與效率。

QLC NAND與規模經濟

NAND快閃記憶體,尤其是QLC NAND,是這場資料中心轉型的核心。QLC每個儲存單元可容納4個位元(和16個電壓狀態),因此能大幅提升儲存密度。雖然其效能不及部分高階NAND產品,但其價值在於,在大規模應用下能以更低的每位元成本提供更佳的能源效率。

這使得QLC成為容量最佳化型儲存的理想選擇,讓資料中心得以將多顆硬碟整合為單一快閃儲存裝置,同時降低實體空間佔用與電力消耗。

QLC也讓記憶體階層得以更精細地劃分。架構師不必再仰賴單一儲存類型,而是能將不同等級的NAND分配給不同工作負載,高效能NAND可保留給緊鄰運算端的任務,而QLC儲存則可支援資料湖與大量儲存需求。

專為功耗、密度與大規模而設計

AI基礎設施受到的限制愈來愈不僅限於空間而已,功耗同樣是關鍵因素。隨著GPU叢集規模不斷擴大,每一瓦電力都成為至關重要的資源。

這也改變了儲存方案的評估方式。效能依舊重要,但能源效率如今已成為首要考量。許多情況下,資料中心優先選擇的儲存方案,是能在每瓦電力下提供最大容量或頻寬的方案,而非追求絕對效能的最大化。

密度是另一項關鍵考量。NAND技術與封裝技術的進步,有助於在相同空間內大幅提升容量,讓資料中心得以擴展儲存規模,而無須等比例增加功耗與散熱負擔。

然而,這些優勢也伴隨著新的規劃考量。設計者必須審慎權衡如何配置儲存資源、如何隨時間擴展規模,以及如何與既有基礎設施整合。「配置不足」仍是常見的挑戰,尤其是當成長幅度遭低估、擴充路徑又未明確規劃時,情況更為棘手。

重新思考AI資料中心的記憶體階層

運算與容量最佳化型NAND快閃記憶體的出現,反映出資料中心規劃正經歷更廣泛的轉型。

儲存不再只是單純保存資料的被動層級,而是會透過影響運算資源的使用效率,以及AI工作負載的擴展成效,進而決定整體系統效能。

這股趨勢促使業界重新評估資料中心的記憶體階層,新階層架構應著重於運算鄰近性、工作負載對齊與資料移轉,而非仍依循傳統的儲存模式。同時,思考重點也從「該部署多少儲存容量」,擴大為「該將儲存部署在何處」。

隨著AI持續演進,能夠挑戰現狀、明確擬定「近運算儲存」與「高容量儲存」兩種策略的架構師,將更有能力打造出兼具可擴充性與效率的資料中心基礎設施。

<本文作者:Mrinal Kochar現為Sandisk工程資深副總裁>